為因應國內半導體先進微影技術發展，本實驗室發展極紫外(Extreme Ultraviolet, EUV)波段光輻射量測與校正技術，目前已與同步輻射研究中心合作建置了極紫外光光偵測器分光響應校正系統。為提升EUV光譜量測效率，新式EUV光譜儀採用錐形繞射式光柵設計，大幅增加分光效率。
光偵測器之光輻射特性評估量測技術，可提供 EUV 光偵測器之光輻射計量標準，其中包含 EUV 光偵測器響應校正系統與分光輻射標準追溯，實驗室將光輻射標準由 UV 推展至 EUV，新開發光輻射標準之波長範圍為 10 nm 至 20nm，可將輻射響應標準傳遞於 EUV 光偵測器，以滿足目前 EUV 微影製程檢測設備生態系之計量標準需求。本技術可應用於先進半導體EUV微影製程之關鍵組件開發，EUV光阻分析與先進半導體材料之開發。

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