More Moore是半導體業者競逐努力的方向，未來幾年半導體關鍵尺寸仍將持續窄縮，進入3奈米、2奈米，甚至1奈米，進入奈米級製程意即須處理僅數十個原子大小的尺寸問題，只要有1個原子等級的缺陷就會影響良率，這在製造上是極為困難的嚴峻挑戰，也推升了檢測與計量設備的需求，依據Mordor Intelligence發表之「Global Semiconductor Metrology and Inspection Equipment Market - Growth, Trends, Covid-19 Impact, and Forecasts (2021 - 2026)」，全球半導體計量與檢測設備市場總值預估將從2020年的41.6億美元成長到2026年的53.7億美元。對於半導體製造業者而言，製程世代能否順利突破、產量與良率提升程度，均將嚴重影響競爭力，甚至關乎生存，而要找出缺陷根因、管控良率的關鍵工具，就是量測設備。

國家度量衡標準實驗室發展低掠角小角度X光散射(grazing-incidence small-angle x-ray scattering, GISAXS)量測技術，能協助滿足半導體元件進入環散閘極(Gate All Around, GAA)式電晶體研發的量測需求。在線寬微縮、元件三維結構與材料組成更加複雜的情況下，導致所需量測關鍵尺寸參數數量大幅增加，各項關鍵尺寸持續縮小，例如，最小線寬來到了20 nm，疊層誤差(Overlay)小於0.6 nm，這都增加了關鍵尺寸量測困難度，需要新的量測技術以滿足半導體產業計量需求。

同時為因應國內半導體先進微影技術發展，國家度量衡標準實驗室發展極紫外(Extreme ultraviolet, EUV)波段光輻射量測與校正技術，已完成EUV光偵測器響應標準之基礎量測系統建置，並完成量測系統之評估，透過量測方法應用可有效降低量測不確定度，賡續將完備光源穩定性監測與校正結果修正機制、標準化校正流程、並建立系統不確定度評估技術，以達成建置校正能量滿足產業需求之目標。