EUV 計量標準

因應半導體先進微影技術發展，本實驗室建立台灣第一套EUV分光響應校正系統，並建立光偵測器之光輻射特性評估量測技術，可提供 EUV 光偵測器之光輻射計量標準。本技術可應用於EUV曝光劑量評估, 使晶片廠更能掌握曝光機晶圓製程現場之實際曝光劑量。本技術將光輻射標準由 UV 推展至 EUV，新開發光輻射標準之波長範圍為 10 nm 至 20 nm，使輻射響應標準傳遞於 EUV 光偵測器，以滿足目前半導體產業EUV 微影製程檢測設備之計量標準需求。